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STMicroelectronics | STW18N60M2

Référence fabricant

STW18N60M2

N-Channel 600 V 0.28 Ω 110 W Flange Mount MDmesh II Plus Power Mosfet - TO-247-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STW18N60M2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 600V
Drain-Source On Resistance-Max: 280mΩ
Rated Power Dissipation: 110|W
Qg Gate Charge: 21.5nC
Style d'emballage :  TO-247-3
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Commande minimale :
600
Multiples de :
30
Total 
870,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
30
$1.50
120
$1.48
600
$1.45
1 200
$1.44
3 750+
$1.41
Product Variant Information section