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Référence fabricant

FDC604P

P-Channel 20 V 33 mohm 1.8V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-6

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2439
Product Specification Section
onsemi FDC604P - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20V
Drain-Source On Resistance-Max: 33mΩ
Rated Power Dissipation: 0.8|W
Qg Gate Charge: 19nC
Style d'emballage :  SSOT-6
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The FDC604P is a 20 V 33 mOhm P-Channel 1.8V Specified PowerTrench Mosfet in a SSOT-6 package.

This P-Channel 1.8V specified MOSFET has been optimized for battery power management applications.

Product Features:

  • -5.5 A, -20 V.
  • RDS(on) = 35 mΩ @ VGS = - 4.5V
  • RDS(on) = 50 mΩ @ VGS = - 2.5V
  • Fast switching speed.
  • High performance trench technology for extremelylow RDS(ON).

Applications:

  • AC-DC Merchant Power Supply - Video game console, flat Panel TV, DVR, STB
  • External AC-DC Merchant Power Supply - Wireless Communications
  • Wireless LAN Access
  • Military & Civil Aerospace
Pricing Section
Stock global :
30 000
États-Unis:
30 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
Total 
615,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.205
6 000
$0.20
15 000
$0.199
45 000+
$0.194
Product Variant Information section