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Référence fabricant
HN2D02FUTW1T1G
HN2D02 Series 85 V 100 mA 3 ns Ultra High Speed Switching Diode - SC-88
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SOT-363 (SC-70-6, SC-88) Méthode de montage :Surface Mount |
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| Code de date: | |||||||||||
onsemi HN2D02FUTW1T1G - Spécifications du produit
Informations de livraison:
Code HTS:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=HN2D02FUTW1T1G&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--diodes--switching/hn2d02futw1t1g-onsemi-4144267
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onsemi HN2D02FUTW1T1G - Caractéristiques techniques
| Type: | Silicon Epitaxial Planar |
| Configuration: | Triple |
| Reverse Current-Max: | 0.5µA |
| Forward Voltage: | 1.2V |
| Reverse Voltage-Max [Vrrm]: | 85V |
| Reverse Recovery Time-Max: | 3ns |
| Power Dissipation: | 300mW |
| Diode Capacitance-Max: | 2pF |
| Average Forward Current-Max: | 100mA |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Style d'emballage : | SOT-363 (SC-70-6, SC-88) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The HN2D02FUTW1T1G Ultra High Speed Silicon Epitaxial Planar Diodes are designed for use in ultra high speed switching applications. These devices are housed in the SC-88 package which is designed for low power surface mount applications.
Key Features:
- Fast trr, < 3.0 ns
- Low CD, < 2.0 pF
- These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
Applications:
- Low-Power surface mount Applications
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-363 (SC-70-6, SC-88)
Méthode de montage :
Surface Mount