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Référence fabricant
IDV30E65D2XKSA1
650 V, 30 A, silicon power diode in TO-220 FullPAK package
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-2 (TO-220AC) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IDV30E65D2XKSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IDV30E65D2XKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--diodes--ultrafast-rectifiers/idv30e65d2xksa1-infineon-6163767
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Infineon IDV30E65D2XKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Average Rectified Current-Max: | 30A |
| Peak Current-Max: | 180A |
| Reverse Voltage-Max [Vrrm]: | 650V |
| Reverse Current-Max: | 40µA |
| Forward Voltage: | 1.6V |
| Configuration: | Single |
| Reverse Recovery Time-Max: | 42ns |
| Operating Temp Range: | -40°C to +175°C |
| Storage Temperature Range: | -55°C to +150°C |
| Style d'emballage : | TO-220-2 (TO-220AC) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
19 Semaines
Quantité
Prix unitaire
50
$0.625
200
$0.605
500
$0.595
1 250
$0.58
2 000+
$0.565
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-2 (TO-220AC)
Méthode de montage :
Through Hole