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Référence fabricant
STGF6M65DF2
STGF6M65DF2 Series 650 V 6 A Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-220FP
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Tube Style d'emballage :TO-220FP (TO-220FPAB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STGF6M65DF2 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Obsolète
Obsolète
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STGF6M65DF2&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--igbts/stgf6m65df2-stmicroelectronics-4091259
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STMicroelectronics STGF6M65DF2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| CE Voltage-Max: | 650V |
| Collector Current @ 25C: | 12A |
| Power Dissipation-Tot: | 24.2W |
| Gate - Emitter Voltage: | 20V |
| Pulsed Collector Current: | 24A |
| Collector - Emitter Saturation Voltage: | 1.55V |
| Turn-on Delay Time: | 15ns |
| Turn-off Delay Time: | 90ns |
| Qg Gate Charge: | 21.2nC |
| Reverse Recovery Time-Max: | 140ns |
| Leakage Current: | 250µA |
| Input Capacitance: | 530pF |
| Thermal Resistance: | 62.5°C/W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| No of Terminals: | 3 |
| Style d'emballage : | TO-220FP (TO-220FPAB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
15 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 000
$0.49
2 000
$0.485
4 000
$0.475
15 000+
$0.465
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Tube
Style d'emballage :
TO-220FP (TO-220FPAB)
Méthode de montage :
Through Hole