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Référence fabricant
UJ3N120035K3S
N-Channel 1200 V 63 A 429 W Through Hole Power Silicon Carbide JFET - TO-247-3
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :600 par Tube Style d'emballage :TO-247-3 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2420 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi UJ3N120035K3S - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=UJ3N120035K3S&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--jfets/uj3n120035k3s-onsemi-4198294
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=UJ3N120035K3S&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--jfets/uj3n120035k3s-onsemi-4198294
onsemi UJ3N120035K3S - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 2V |
| Drain Current: | 63A |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Configuration: | Single |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 45mΩ |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Storage Temperature Range: | -55°C to +175°C |
| No of Terminals: | 3 |
| Moisture Sensitivity Level: | 1 |
| Style d'emballage : | TO-247-3 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
600
États-Unis:
600
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix unitaire
600+
$23.80
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
600 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-3
Méthode de montage :
Through Hole