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Référence fabricant
BSC0502NSIATMA1
BSC0502NSI series 30V 100A 2.3 mOhm N-Ch SuperSO8 OptiMOS™ 5
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :5000 par Reel Style d'emballage :TDSON-8 Méthode de montage :Surface Mount |
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| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon BSC0502NSIATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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Autriche
Code HTS:
8541.29.00.65
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BSC0502NSIATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/bsc0502nsiatma1-infineon-4062886
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Infineon BSC0502NSIATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 2.3mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.5W |
| Qg Gate Charge: | 19nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 100A |
| Turn-on Delay Time: | 4ns |
| Turn-off Delay Time: | 19ns |
| Rise Time: | 4ns |
| Fall Time: | 3ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 2V |
| Technology: | OptiMOS |
| Input Capacitance: | 1200pF |
| Style d'emballage : | TDSON-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
52+Semaines
Quantité
Prix unitaire
5 000+
$0.835
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par Reel
Style d'emballage :
TDSON-8
Méthode de montage :
Surface Mount