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Référence fabricant
IRFB4332PBF
Single N-Channel 250 V 33 mOhm 99 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Flange Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRFB4332PBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
Discontinuation
11/27/2025 Détails et téléchargement
Labeling Change
09/19/2024 Détails et téléchargement
Molding Compound Change
09/09/2024 Détails et téléchargement
Location Change
05/01/2024 Détails et téléchargement
Statut du produit:
Obsolète
Obsolète
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRFB4332PBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irfb4332pbf-infineon-5175338
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Infineon IRFB4332PBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 250V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 33mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 390|W |
| Qg Gate Charge: | 99nC |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Flange Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Quantité
Prix unitaire
50
$1.51
200
$1.49
750
$1.47
1 500
$1.46
3 750+
$1.44
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Flange Mount