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Référence fabricant
PHB27NQ10T,118
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
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| Nom du fabricant: | Nexperia | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :800 par Reel Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2527 | ||||||||||
Product Specification Section
Nexperia PHB27NQ10T,118 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=PHB27NQ10T,118&field4=Nexperia&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/phb27nq10t-118-nexperia-4191911
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Nexperia PHB27NQ10T,118 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 50mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 107W |
| Qg Gate Charge: | 30nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 28A |
| Turn-on Delay Time: | 12ns |
| Turn-off Delay Time: | 32ns |
| Rise Time: | 43ns |
| Fall Time: | 24ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Input Capacitance: | 1240pF |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
9 600
États-Unis:
9 600
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
800
$1.30
1 600
$1.29
2 400
$1.28
4 000+
$1.27
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
800 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount