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Vishay | SIHF30N60E-GE3

Référence fabricant

SIHF30N60E-GE3

E Series N Channel 600 V 0.125 Ω 130 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Vishay
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Vishay SIHF30N60E-GE3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 600V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.125Ω
Rated Power Dissipation: 37|W
Qg Gate Charge: 130nC
Style d'emballage :  TO-220FP (TO-220FPAB)
Méthode de montage : Flange Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
19 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
50
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
4 950,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
50
$5.13
150
$5.06
250
$5.02
750
$4.95
1 250+
$4.89
Product Variant Information section