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Référence fabricant
STD26P3LLH6
STD26P3LLH6: 30V 0.030 Ohm 12 A P-Ch. STripFET™ VI DeepGATE™ Power Mosfet-DPAK-3
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :TO-252-3 (DPAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STD26P3LLH6 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STD26P3LLH6&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/std26p3llh6-stmicroelectronics-2070438
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STMicroelectronics STD26P3LLH6 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | P-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.0055Ω |
| Rated Power Dissipation: | 40W |
| Qg Gate Charge: | 12nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 80A |
| Turn-on Delay Time: | 15ns |
| Turn-off Delay Time: | 24ns |
| Rise Time: | 15ns |
| Fall Time: | 21ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 1V |
| Technology: | Si |
| Height - Max: | 2.4mm |
| Length: | 6.6mm |
| Input Capacitance: | 5500pF |
| Style d'emballage : | TO-252-3 (DPAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
13 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.40
5 000
$0.395
7 500
$0.39
12 500+
$0.385
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage :
Surface Mount