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Référence fabricant

STP12N65M5

N-Ch 650 V 8.5 A 0.43 Ohm Flange Mount MDmesh V Power Mosfet - TO-220

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STP12N65M5 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 650V
Drain-Source On Resistance-Max: 430mΩ
Rated Power Dissipation: 70|W
Qg Gate Charge: 20nC
Style d'emballage :  TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
14 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
50
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
1 350,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
50
$1.38
200
$1.36
750
$1.35
1 500
$1.34
3 750+
$1.31
Product Variant Information section