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Référence fabricant
STP12NK80Z
N-Channel 800 V 0.75 Ohm Flange Mount SuperMESH™ MosFet - TO-220
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Box Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Flange Mount | ||||||||||
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STMicroelectronics STP12NK80Z - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STP12NK80Z&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stp12nk80z-stmicroelectronics-5598883
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STMicroelectronics STP12NK80Z - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 800V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.75Ω |
| Rated Power Dissipation: | 190|W |
| Qg Gate Charge: | 87nC |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Flange Mount |
Fonctionnalités et applications
The STP12NK80Z is a SuperMESH™ series is obtained through an extreme optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications.
Features:
- Extremely high dv/dt capability
- Improved esd capability
- 100% avalanche tested
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitances
- Very good manufacturing reliability
Applications:
- Switching application
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Box
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Flange Mount
