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Référence fabricant
IMLT65R050M2HXTMA1
CoolSiC Series 650 V 47 A 62 mOhm Single N-Channel SiC MOSFET - PG‑HDSOP‑16
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1800 par Reel Méthode de montage :Surface Mount |
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Infineon IMLT65R050M2HXTMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
Code HTS:
ECCN:
Informations PCN:
Detailed change informationSubject Extension of shelf lifetime from 3 to 5 years for products in SMD (Surface Mount Devices) and Leadless packagesReason Extension of shelf lifetime and product availabilityDescription Maximum storage timeOld - 3 years New- 5 yearsIntended start of delivery Immediately
Statut du produit:
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IMLT65R050M2HXTMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-mosfets-sic-mosfets/imlt65r050m2hxtma1-infineon-2189548
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IMLT65R050M2HXTMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-mosfets-sic-mosfets/imlt65r050m2hxtma1-infineon-2189548
Infineon IMLT65R050M2HXTMA1 - Caractéristiques techniques
| Technology: | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No. of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Drain Current: | 47A |
| Power Dissipation: | 227W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1800 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount