text.skipToContent text.skipToNavigation

warning.svgLes commandes expédiées à l’extérieur des États-Unis seront en attente pendant que l’entreprise évalue les impacts tarifaires.
Veuillez contacter votre vendeur pour obtenir de l’aide.

Truck-Icon.svgLivraison gratuite aux États-Unis continentaux à partir de 50 $ US. Des conditions s'appliquent

  1. home
  2. Semiconducteurs
  3. Discrets
  4. Transistors
  5. Silicon Carbide MOSFETs (SiC MOSFETs)
  6. NTH4L080N120SC1

onsemi | NTH4L080N120SC1

Référence fabricant

NTH4L080N120SC1

N-Channel 1200 V 29 A 170 W Through Hole Silicon Carbide MOSFET - TO-247-4L

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
onsemi NTH4L080N120SC1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1200V
Drain Current: 29A
Input Capacitance: 1112pF
Power Dissipation: 170W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Style d'emballage :  TO-247-4L
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
900
Délai d'usine :
15 Semaines
Commande minimale :
450
Multiples de :
450
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
2 821,50 $
USD
Quantité
Prix unitaire
450
$6.27
900
$6.24
1 350+
$6.22
Product Variant Information section