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Référence fabricant
FF4MR12W2M1HB70BPSA1
1200 V 200 A Dual N-Channel Chassis Mount CoolSiC Trench MOSFET Module
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :15 par Style d'emballage :Module Méthode de montage :Chassis Mount |
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| Code de date: | 2510 | ||||||||||
Infineon FF4MR12W2M1HB70BPSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
Code HTS:
ECCN:
Informations PCN:
Description:Introduction of an additional wafer production location at Infineon Technologies (Kulim) Sdn. Bhd., Kulim, Malaysia for products with CoolSiC? MOSFET 1200V Gen. 1.Reason for change:Introduction of an additional wafer production location at Infineon Technologies (Kulim) Sdn. Bhd., Kulim, Malaysia for products with CoolSiC? MOSFET 1200V Gen. 1.
Statut du produit:
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FF4MR12W2M1HB70BPSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-power-modules-sic-power-modules/ff4mr12w2m1hb70bpsa1-infineon-2176531
Infineon FF4MR12W2M1HB70BPSA1 - Caractéristiques techniques
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 23V |
| Isolation Voltage-RMS: | 3000V |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Drain Current: | 200A |
| Configuration: | Half Bridge |
| Operating Temp Range: | -40°C to +150°C |
| Style d'emballage : | Module |
| Méthode de montage : | Chassis Mount |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
15 par
Style d'emballage :
Module
Méthode de montage :
Chassis Mount