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Référence fabricant

STGW80H65DFB

HB Series 650 V 80 A High Speed Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-247

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STGW80H65DFB - Caractéristiques techniques
Attributes Table
CE Voltage-Max: 650V
Collector Current @ 25C: 120A
Power Dissipation-Tot: 469W
Turn-on Delay Time: 84ns
Turn-off Delay Time: 280ns
Style d'emballage :  TO-247-3
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
14 Semaines
Commande minimale :
600
Multiples de :
30
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
1 662,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
30
$2.86
120
$2.81
450
$2.77
900
$2.75
2 250+
$2.70
Product Variant Information section