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Référence fabricant
FF6MR20W2M1HB70BPSA1
EasyPACK Series 2000 V 160 A Dual N-Channel CoolSiC Trench MOSFET Module
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :15 par Tray Style d'emballage :Module Méthode de montage :Chassis Mount |
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| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon FF6MR20W2M1HB70BPSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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N/A
Code HTS:
8541.21.00.95
ECCN:
Pas encore classés.
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FF6MR20W2M1HB70BPSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ff6mr20w2m1hb70bpsa1-infineon-7200347
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FF6MR20W2M1HB70BPSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ff6mr20w2m1hb70bpsa1-infineon-7200347
Infineon FF6MR20W2M1HB70BPSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | Dual N-Ch |
| No of Channels: | 2 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 2000V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 8.1mΩ |
| Qg Gate Charge: | 780nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 23V |
| Drain Current: | 160A |
| Operating Temp Range: | -40°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 5.15V |
| Technology: | SiC |
| Input Capacitance: | 24,100pF |
| Style d'emballage : | Module |
| Méthode de montage : | Chassis Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
10 Semaines
Quantité
Prix unitaire
15
$219.47
30+
$216.40
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
15 par Tray
Style d'emballage :
Module
Méthode de montage :
Chassis Mount