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Référence fabricant
IRF6645TRPBF
Single N-Channel 100 V 35 mOhm 20 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :4800 par Reel Style d'emballage :DIRECTFET Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRF6645TRPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
Material Change
02/18/2025 Détails et téléchargement
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRF6645TRPBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/discretes--transistors--mosfets/irf6645trpbf-infineon-8041542
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Infineon IRF6645TRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 35mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.2W |
| Qg Gate Charge: | 20nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 5.7A |
| Turn-on Delay Time: | 9.2ns |
| Turn-off Delay Time: | 18ns |
| Rise Time: | 5ns |
| Fall Time: | 5.1ns |
| Operating Temp Range: | -40°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 4.9V |
| Technology: | Si |
| Height - Max: | 0.53mm |
| Length: | 3.95mm |
| Input Capacitance: | 890pF |
| Style d'emballage : | DIRECTFET |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix unitaire
4 800
$0.575
9 600+
$0.565
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
4800 par Reel
Style d'emballage :
DIRECTFET
Méthode de montage :
Surface Mount