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Référence fabricant
SQM60N06-15_GE3
Single N-Channel 60 V 0.015 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-263
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| Nom du fabricant: | Vishay | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :800 par Std. Mfr. Pkg Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount |
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| Code de date: | |||||||||||
Vishay SQM60N06-15_GE3 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
Code HTS:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=SQM60N06-15_GE3&field4=Vishay&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/discretes--transistors--mosfets/sqm60n06-15-ge3-vishay-C008046026
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Vishay SQM60N06-15_GE3 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.015Ω |
| Rated Power Dissipation: | 107|W |
| Qg Gate Charge: | 50nC |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The SQM60N06-15-GE3 is a Part of the SQ Automotive Series N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFETs.
The Vishay Siliconix SQ series of AEC Q101 qualified power MOSFETs are produced using a special process design that is optimized for automotive excellence. Featuring low on-resistance n- and p-channel TrenchFET® technologies, these automotive power MOSFETs are rated for a maximum junction temperature of 175 °C.
Features:
- Superior performance based on leading TrenchFET® Power MOSFET technology
- AEC Q101 Qualified
- Rated at 175°C
- Best in class RDS(on) performance
- Rugged transistor technology, 100 % Rg Tested
- Halogen-free per IEC 61249-2-21 Definition
- Typical ESD Protection: 800 V
- Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
- Available in TO-263 package
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
800 par Std. Mfr. Pkg
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount