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Référence fabricant
MBRS410LT3G
MBRS410LT3 Series 10 V 150 A Surface Mount Schottky Power Rectifier - CASE 403
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :SMC (DO-214AB) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
onsemi MBRS410LT3G - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=MBRS410LT3G&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--diodes--scottky-rectifiers/mbrs410lt3g-onsemi-5366158
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onsemi MBRS410LT3G - Caractéristiques techniques
| Average Rectified Current-Max: | 4A |
| Peak Current-Max: | 150A |
| Reverse Voltage-Max [Vrrm]: | 10V |
| Reverse Current-Max: | 5mA |
| Forward Voltage: | 0.33V |
| Style d'emballage : | SMC (DO-214AB) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and polarity protection diodes, in surface mount applications where compact size and weight are critical to the system.
Features:
- Ultra Low VF
- 1st in the Market Place with a 10 VR Schottky Rectifier
- Small Compact Surface Mountable Package with J−Bend Leads
- Rectangular Package for Automated Handling
- Highly Stable Oxide Passivated Junction
- Very Low Forward Voltage Drop
- Excellent Ability to Withstand Reverse Avalanche Energy Transients
- Guard−Ring for Stress Protection
- Pb−Free Package is Available
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
SMC (DO-214AB)
Méthode de montage :
Surface Mount