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Référence fabricant
FDD86567-F085
MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2405 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi FDD86567-F085 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDD86567-F085&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fdd86567-f085-onsemi-4140187
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onsemi FDD86567-F085 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 3.2mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 227W |
| Qg Gate Charge: | 63nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 100A |
| Turn-on Delay Time: | 24ns |
| Turn-off Delay Time: | 32ns |
| Rise Time: | 45ns |
| Fall Time: | 13ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 2.9V |
| Technology: | PowerTrench |
| Input Capacitance: | 4950pF |
| Series: | FDD86567 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
17 500
États-Unis:
17 500
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$1.13
5 000+
$1.12
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount