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Référence fabricant
IRFU3607PBF
Single N-Channel 75 V 9 mOhm 56 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-251AA
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :75 par Tube Style d'emballage :TO-251 (IPAK) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2417 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRFU3607PBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRFU3607PBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irfu3607pbf-infineon-4174097
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Infineon IRFU3607PBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 75V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 9mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 140|W |
| Qg Gate Charge: | 56nC |
| Style d'emballage : | TO-251 (IPAK) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
75
États-Unis:
75
Sur commande :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Quantité
Prix unitaire
75
$0.73
1 350
$0.72
2 700
$0.71
3 375
$0.705
10 125+
$0.685
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
75 par Tube
Style d'emballage :
TO-251 (IPAK)
Méthode de montage :
Through Hole