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Référence fabricant
IMCQ120R007M2HXTMA1
CoolSiC Series 1200 V 257 A 7.5 mOhm Single N-Channel SiC MOSFET - PG-HDSOP-22
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :750 par Reel Style d'emballage :PG-HDSOP-22 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IMCQ120R007M2HXTMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
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Infineon IMCQ120R007M2HXTMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No. of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Drain Current: | 257A |
| Input Capacitance: | 8440pF |
| Power Dissipation: | 1172W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Style d'emballage : | PG-HDSOP-22 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Quantité
Prix unitaire
750+
$23.22
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
750 par Reel
Style d'emballage :
PG-HDSOP-22
Méthode de montage :
Surface Mount