Référence fabricant
BSS84,215
BSS84 Series 50 V 100 Ohm P-Channel Enhancement Mode D-MOS Transistor SOT-23
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| Nom du fabricant: | Nexperia | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SOT-23 (SC-59,TO-236) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2511 | ||||||||||
Product Specification Section
Nexperia BSS84,215 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Nexperia BSS84,215 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 50V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 10Ω |
| Rated Power Dissipation: | 250|mW |
| Qg Gate Charge: | 1.3nC |
| Style d'emballage : | SOT-23 (SC-59,TO-236) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The BSS84 series Logic level P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using vertical D-MOS technology.
This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
Features:
- Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics
- Suitable for low gate drive sources
- Suitable for use with all 5 V logic families
Applications:
- High-speed line drivers
- Line current interruptor in telephone sets
- Line transformer drivers
- Relay drivers
View the BSS8x series of P-channel enhancement mode FET
Pricing Section
Stock global :
42 000
États-Unis:
42 000
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0559
6 000
$0.055
9 000
$0.0544
15 000
$0.0538
30 000+
$0.0523
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-23 (SC-59,TO-236)
Méthode de montage :
Surface Mount