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Référence fabricant
2STR1160
2STR1160 Series NPN 60 V 1 A Fast-Switching Power Transistor - SOT-23
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SOT-23 (SC-59,TO-236) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
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STMicroelectronics 2STR1160 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=2STR1160&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--bipolar-transistors/2str1160-stmicroelectronics-2083720
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STMicroelectronics 2STR1160 - Caractéristiques techniques
| Polarity: | NPN |
| Type: | Switching |
| CE Voltage-Max: | 60V |
| Collector Current Max: | 1A |
| Power Dissipation-Tot: | 0.5W |
| Collector - Base Voltage: | 60V |
| Collector - Emitter Saturation Voltage: | 0.21V |
| Emitter - Base Voltage: | 5V |
| DC Current Gain-Min: | 85 |
| Collector - Current Cutoff: | 0.1µA |
| Configuration: | Single |
| Moisture Sensitivity Level: | 1 |
| Style d'emballage : | SOT-23 (SC-59,TO-236) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The 2STR1160 is a NPN transistor manufactured using new “PB-HCD” (Power Bipolar High Current Density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage. The complementary PNP is the 2STR2160.
Features:
- Very low collector-emitter saturation voltage
- High current gain characteristic
- Fast switching speed
- Miniature SOT-23 plastic package for surface mounting circuits
Applications:
- LED
- Battery charger
- Motor and relay driver
- Voltage regulation
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-23 (SC-59,TO-236)
Méthode de montage :
Surface Mount