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Référence fabricant
FDMA530PZ
MLP 2X2 ,-30V, -6.8A, 35OHM,SINGLE, PCH POWER TRENCH MOSFET
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :MICROFET-2x2 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
onsemi FDMA530PZ - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDMA530PZ&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fdma530pz-onsemi-7558588
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onsemi FDMA530PZ - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | P-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 35mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 0.9|W |
| Style d'emballage : | MICROFET-2x2 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The FDMA530PZ is a 30 V Single P-Channel PowerTrench® MOSFET and these device is designed specifically for battery charge or load switching in cellular handset and other ultraportable applications It features a MOSFET with low on–state resistance.
Features:
- Max rDS(on) = 35 mO at VGS = –10 V, ID = –6.8 A
- Max rDS(on) = 65 mO at VGS = –4.5 V, ID = –5.0 A
- Low profile–0.8 mm maximum
- Free from halogenated compounds and antimony oxides
- RoHS compliant
Applications:
- Automation
- Building & Home Control
- Consumer Appliances
- Medical Electronics/Devices
- Military & Civil Aerospace
- Mobile Comm Infrastructure
- Storage & Peripherals
- HBM ESD protection level 3 k V typical
View the complete family of P-Channel mosfets
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
MICROFET-2x2
Méthode de montage :
Surface Mount