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Référence fabricant
IPL60R065P7AUMA1
Single N-Channel 600 V 65 mOhm 67 nC CoolMOS™ Power Mosfet - VSON-4
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2442 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPL60R065P7AUMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPL60R065P7AUMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipl60r065p7auma1-infineon-1183525
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Infineon IPL60R065P7AUMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 600V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.065Ω |
| Rated Power Dissipation: | 201W |
| Qg Gate Charge: | 67nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 41A |
| Turn-on Delay Time: | 16ns |
| Turn-off Delay Time: | 73ns |
| Rise Time: | 7ns |
| Fall Time: | 4ns |
| Operating Temp Range: | -40°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3.5V |
| Technology: | CoolMOS |
| Input Capacitance: | 2895pF |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
3 000
États-Unis:
3 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
3 000+
$3.10
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount