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Référence fabricant
STB6NK60Z-1
N-Channel 600 V 1.2 Ohm SuperMESH™ Power MosFet - I2PAK
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-262 (I2PAK) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 1752 | ||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STB6NK60Z-1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STB6NK60Z-1&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stb6nk60z-1-stmicroelectronics-5104466
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STMicroelectronics STB6NK60Z-1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 600V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.2Ω |
| Rated Power Dissipation: | 110W |
| Qg Gate Charge: | 33nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 30V |
| Drain Current: | 6A |
| Turn-on Delay Time: | 14ns |
| Turn-off Delay Time: | 47ns |
| Rise Time: | 14ns |
| Fall Time: | 19ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3.75V |
| Input Capacitance: | 905pF |
| Style d'emballage : | TO-262 (I2PAK) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
1 000
États-Unis:
1 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
13 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$0.58
75
$0.57
300
$0.555
1 250
$0.54
5 000+
$0.515
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-262 (I2PAK)
Méthode de montage :
Through Hole