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Référence fabricant
STP11N60DM2
N-Channel 600 V 0.420 Ohm Flange Mount MDmesh™ DM2 Power MOSFET - TO-220-3
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STP11N60DM2 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STP11N60DM2&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stp11n60dm2-stmicroelectronics-4096157
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STMicroelectronics STP11N60DM2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 600V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 420mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 110W |
| Qg Gate Charge: | 16.5nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 25V |
| Drain Current: | 10A |
| Turn-on Delay Time: | 11.7ns |
| Turn-off Delay Time: | 31ns |
| Rise Time: | 6.3ns |
| Fall Time: | 9.5ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Technology: | MDmesh |
| Input Capacitance: | 614pF |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Quantité
Prix unitaire
50
$0.76
2 000
$0.75
3 000
$0.745
4 000
$0.74
5 000+
$0.725
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole