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Référence fabricant
IRFH9310TRPBF
IRFH9310 Series 30 V 21 A 4.6 mOhm 3.1 W 110 nC P-Channel MOSFET - PQFN-8
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :4000 par Reel Style d'emballage :PQFN 5 x 6 mm Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRFH9310TRPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Statut du produit:
Obsolète
Obsolète
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRFH9310TRPBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irfh9310trpbf-infineon-4031948
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Infineon IRFH9310TRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | P-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 4.6mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 3.1W |
| Qg Gate Charge: | 110nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 21A |
| Turn-on Delay Time: | 25ns |
| Turn-off Delay Time: | 65ns |
| Rise Time: | 47ns |
| Fall Time: | 70ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 1.9V |
| Input Capacitance: | 5250pF |
| Series: | HEXFET |
| Style d'emballage : | PQFN 5 x 6 mm |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Quantité
Prix unitaire
4 000
$0.57
8 000
$0.565
12 000+
$0.555
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
4000 par Reel
Style d'emballage :
PQFN 5 x 6 mm
Méthode de montage :
Surface Mount