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ROHM | RH6P040BHTB1

Référence fabricant

RH6P040BHTB1

100V 40A 15.6OHM Nch HSMT8 Power Mosfet

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: ROHM
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
ROHM RH6P040BHTB1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max: 15.6mΩ
Rated Power Dissipation: 59W
Qg Gate Charge: 16.7nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 40A
Turn-on Delay Time: 19ns
Turn-off Delay Time: 35ns
Rise Time: 20ns
Fall Time: 13ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 4V
Input Capacitance: 1080pF
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
tariff icon
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Total 
2 550,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.85
6 000
$0.835
9 000+
$0.825
Product Variant Information section