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Référence fabricant
STP19NM50N
N-Channel 500 V 0.25 Ohm Flange Mount MDmesh II Power MosFet - TO-220
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Flange Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
STMicroelectronics STP19NM50N - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=en&field2=STP19NM50N&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/en/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stp19nm50n-stmicroelectronics-1007598
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STMicroelectronics STP19NM50N - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 500V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.25Ω |
| Rated Power Dissipation: | 110|W |
| Qg Gate Charge: | 34nC |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Flange Mount |
Fonctionnalités et applications
The STP19NM50N is a second generation of MDmesh™ technology, applies the benefits of the multiple drain process to STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product offers improved on-resistance, low gate charge, high dv/dt capability and excellent avalanche characteristics.
Features:
- 100% avalanche tested
- Low input capacitances and gate charge
- Low gate input resistance
Application:
- Switching applications
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Flange Mount