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onsemi | FDMS3672

Référence fabricant

FDMS3672

100V, 22A,23 OHM, NCH ULTRAFET TRENCH MOSFET

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
onsemi FDMS3672 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max: 40mΩ
Rated Power Dissipation: 2.5W
Qg Gate Charge: 44nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 7.4A
Turn-on Delay Time: 23ns
Turn-off Delay Time: 36ns
Rise Time: 20ns
Fall Time: 16ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 4V
Technology: Si
Height - Max: 0.75mm
Length: 5mm
Input Capacitance: 2015pF
Style d'emballage :  POWER 56-8
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The FDMS3672 is a 100 V 23 mΩ N-Channel UltraFET Trench Mosfet this devices combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. Optimized for rDS(on), low ESR, low total and Miller gate charge, these devices are ideal for high frequency DC-to-DC converters

Features:

  • Maximum RDS(on) = 23 mΩ at VGS = 10 V, ID = 7.4 A
  • Maximum RDS(on) = 29 mΩat VGS= 6 V, ID = 6.6 A
  • Typical Qg = 31 nC at VGS = 10 V
  • Low Miller Charge
  • Optimized efficiency at high frequencies
  • RoHS Compliant

Applications:

  • Automation
  • Building & Home Control
  • Consumer Appliances
  • Medical Electronics/Devices
  • Military & Civil Aerospace
  • Mobile Comm Infrastructure
  • DC-DC Conversion
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
42 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
Total 
3 990,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000+
$1.33
Product Variant Information section