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Référence fabricant
IRF7769L1TRPBF
Single N-Channel 100 V 3.5 mOhm 200 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :4000 par Reel Style d'emballage :DIRECTFET Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2409 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRF7769L1TRPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
Material Change
02/18/2025 Détails et téléchargement
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRF7769L1TRPBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irf7769l1trpbf-infineon-3183560
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Infineon IRF7769L1TRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 3.5mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 3.3|W |
| Qg Gate Charge: | 200nC |
| Style d'emballage : | DIRECTFET |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
4 000
États-Unis:
4 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix unitaire
4 000+
$2.24
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
4000 par Reel
Style d'emballage :
DIRECTFET
Méthode de montage :
Surface Mount