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ROHM | SH8KB7TB1

Référence fabricant

SH8KB7TB1

MOSFET 40V NN-CHANNEL

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: ROHM
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2324
Product Specification Section
ROHM SH8KB7TB1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: Active
Fet Type: Dual N-Ch
No of Channels: 2
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 40V
Drain-Source On Resistance-Max: 8.4mΩ
Rated Power Dissipation: 2W
Qg Gate Charge: 27nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 13.5A
Turn-on Delay Time: 18ns
Turn-off Delay Time: 47ns
Rise Time: 16ns
Fall Time: 18ns
Gate Source Threshold: 2.5V
Input Capacitance: 1570pF
Style d'emballage :  SOP-8
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
2 500
États-Unis:
2 500
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
tariff icon
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Total 
1 400,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500+
$0.56
Product Variant Information section