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Référence fabricant

ZXMC3A16DN8TA

Dual N & P Channel 30 V 6.4 A 2.1 W Surface Mount Complementary Mosfet - SOIC-8

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Diodes Incorporated
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Diodes Incorporated ZXMC3A16DN8TA - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: Dual N/P-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30V/-30V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.035Ω/0.048Ω
Rated Power Dissipation: 2.1|W
Qg Gate Charge: 17.5nC/24.9nC
Style d'emballage :  SOIC-8
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Commande minimale :
500
Multiples de :
500
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
260,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
500
$0.52
1 000
$0.515
1 500
$0.51
2 000
$0.505
2 500+
$0.495
Product Variant Information section