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Référence fabricant
DMN2020LSN-7
DMN2020LSN Series 20V 6.9 A N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SC-59-3
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SOT-23 (SC-59,TO-236) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMN2020LSN-7 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=DMN2020LSN-7&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/dmn2020lsn-7-diodes-incorporated-4007783
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Diodes Incorporated DMN2020LSN-7 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 20mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 610|mW |
| Qg Gate Charge: | 11.6nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 12V |
| Drain Current: | 6.9A |
| Turn-on Delay Time: | 11.67ns |
| Turn-off Delay Time: | 35.89ns |
| Rise Time: | 12.49ns |
| Fall Time: | 12.33ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 1V |
| Height - Max: | 1.3mm |
| Length: | 3mm |
| Input Capacitance: | 1149pF |
| Style d'emballage : | SOT-23 (SC-59,TO-236) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.103
9 000
$0.10
15 000
$0.0992
30 000
$0.0977
60 000+
$0.0952
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-23 (SC-59,TO-236)
Méthode de montage :
Surface Mount