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Infineon | IRF6644TRPBF

Référence fabricant

IRF6644TRPBF

Single N-Channel 100 V 13 mOhm 47 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2241
Product Specification Section
Infineon IRF6644TRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max: 13mΩ
Rated Power Dissipation: 2.8W
Qg Gate Charge: 47nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 60A
Turn-on Delay Time: 17ns
Turn-off Delay Time: 34ns
Rise Time: 26ns
Fall Time: 16ns
Operating Temp Range: -40°C to +150°C
Gate Source Threshold: 4.8V
Technology: Si
Height - Max: 0.676mm
Length: 6.35mm
Input Capacitance: 2210pF
Style d'emballage :  DIRECTFET
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
48 000
États-Unis:
48 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Commande minimale :
4800
Multiples de :
4800
Total 
6 960,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
4 800+
$1.45
Product Variant Information section