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Référence fabricant
IRF6785MTRPBF
N-Channel 200 V 100 mOhm 36 nC SMT HEXFET® Power Mosfet - DIRECTFET™ MZ
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :4800 par Reel Style d'emballage :DIRECTFET Méthode de montage :Surface Mount |
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| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRF6785MTRPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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N/A
Code HTS:
N/A
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
Discontinuation
11/27/2025
Détails et téléchargement
Material Change
02/18/2025
Détails et téléchargement
Part Number Change
02/14/2025
Détails et téléchargement
Statut du produit:
Obsolète
Obsolète
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRF6785MTRPBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irf6785mtrpbf-infineon-3110769
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRF6785MTRPBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irf6785mtrpbf-infineon-3110769
Infineon IRF6785MTRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 200V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 100mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.8W |
| Qg Gate Charge: | 26nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 3.4A |
| Turn-on Delay Time: | 6.2ns |
| Turn-off Delay Time: | 7.2ns |
| Rise Time: | 8.6ns |
| Fall Time: | 14ns |
| Operating Temp Range: | -40°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 5V |
| Input Capacitance: | 1500pF |
| Style d'emballage : | DIRECTFET |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Quantité
Prix unitaire
4 800+
$1.13
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
4800 par Reel
Style d'emballage :
DIRECTFET
Méthode de montage :
Surface Mount