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Référence fabricant
FDS5670
N-Channel 60 V 14 mOhm SMT PowerTrench Mosfet SOIC-8
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :SOIC-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2546 | ||||||||||
onsemi FDS5670 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDS5670&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/discretes--transistors--mosfets/fds5670-on-semiconductor-2647485
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onsemi FDS5670 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 14mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 1|W |
| Qg Gate Charge: | 70nC |
| Style d'emballage : | SOIC-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The FDS5670 is a 60 V 14 mΩ N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers.
These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS(ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies), and DC/DC power supply designs with higher overall efficiency.
Features:
- 10 A, 60 V. RDS(ON) = 0.014 Ω @ VGS = 10 V, RDS(ON) = 0.017 Ω @ VGS = 6 V
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
- High power and current handling capability
Applications:
- Automation
- Broadband Access
- Broadband Modem
- Broadcast & Studio
- Building & Home Control
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
SOIC-8
Méthode de montage :
Surface Mount