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Infineon | IPD70R600P7SAUMA1

Référence fabricant

IPD70R600P7SAUMA1

Single N-Channel 700 V 600 mOhm 10.5 nC CoolMOS™ Power Mosfet - DPAK

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon IPD70R600P7SAUMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 700V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.60Ω
Rated Power Dissipation: 43.1W
Qg Gate Charge: 10.5nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 16V
Drain Current: 8.5A
Turn-on Delay Time: 14ns
Turn-off Delay Time: 63ns
Rise Time: 5.5ns
Fall Time: 23ns
Operating Temp Range: -40°C to +150°C
Gate Source Threshold: 3V
Technology: CoolMOS
Input Capacitance: 364pF
Style d'emballage :  TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
39 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
Total 
600,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.24
10 000
$0.235
37 500+
$0.23
Product Variant Information section