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Référence fabricant
FP100R12KT4BOSA1
FP100R12KT4 Series 1200 V 100 A 515 W Chassis Mount EconoPIM™ IGBT Module
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :10 par Tray Style d'emballage :Module Méthode de montage :Chassis Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon FP100R12KT4BOSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
Location Change
09/16/2025 Détails et téléchargement
Design
07/02/2025 Détails et téléchargement
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FP100R12KT4BOSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--igbts/fp100r12kt4bosa1-infineon-3130451
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- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FP100R12KT4BOSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--igbts/fp100r12kt4bosa1-infineon-3130451
Infineon FP100R12KT4BOSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| CE Voltage-Max: | 1200V |
| Power Dissipation-Tot: | 515W |
| Gate - Emitter Voltage: | 20V |
| Pulsed Collector Current: | 200A |
| Collector - Emitter Saturation Voltage: | 1.75V |
| Turn-on Delay Time: | 0.16µs |
| Turn-off Delay Time: | 0.33µs |
| Qg Gate Charge: | 800nC |
| Leakage Current: | 100nA |
| Input Capacitance: | 6.3nF |
| Operating Temp Range: | -40°C to +150°C |
| No of Terminals: | 35 |
| Style d'emballage : | Module |
| Méthode de montage : | Chassis Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
10 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$115.61
4
$114.00
15
$112.49
25
$111.91
50+
$110.10
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
10 par Tray
Style d'emballage :
Module
Méthode de montage :
Chassis Mount