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Référence fabricant
DMN1053UCP4-7
N-Channel 20 V 42 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - X3-DSN0808
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount |
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| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMN1053UCP4-7 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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N/A
Code HTS:
N/A
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
-
https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=DMN1053UCP4-7&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/dmn1053ucp4-7-diodes-incorporated-5099588
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=DMN1053UCP4-7&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/dmn1053ucp4-7-diodes-incorporated-5099588
Diodes Incorporated DMN1053UCP4-7 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 12V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 42mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 0.74W |
| Qg Gate Charge: | 7.2nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 8V |
| Drain Current: | 2.7A |
| Turn-on Delay Time: | 3.6ns |
| Turn-off Delay Time: | 13.5ns |
| Rise Time: | 6ns |
| Fall Time: | 2ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 0.5V |
| Input Capacitance: | 612pF |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.113
9 000
$0.111
15 000
$0.11
30 000
$0.109
60 000+
$0.107
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount