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Référence fabricant
MMUN2235LT1G
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW SM
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SOT-23 (SC-59,TO-236) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2507 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi MMUN2235LT1G - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=MMUN2235LT1G&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--bipolar-transistors/mmun2235lt1g-onsemi-9099502
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onsemi MMUN2235LT1G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Polarity: | NPN |
| Type: | Power Transistor |
| CE Voltage-Max: | 50V |
| Collector Current Max: | 100mA |
| Power Dissipation-Tot: | 246mW |
| Collector - Base Voltage: | 50V |
| Collector - Emitter Saturation Voltage: | 0.25V |
| Collector - Current Cutoff: | 500nA |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Style d'emballage : | SOT-23 (SC-59,TO-236) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Délai d'usine :
41 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0166
9 000
$0.0162
15 000
$0.016
60 000
$0.0155
90 000+
$0.0152
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-23 (SC-59,TO-236)
Méthode de montage :
Surface Mount