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Référence fabricant
FGY100T120RWD
1200V, 100A Trench Field Stop, Discrete IGBT in Power TO247-3L Packaging IGBT
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :450 par Tube Style d'emballage :TO-247-3 Méthode de montage :Through Hole |
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| Code de date: | 2420 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi FGY100T120RWD - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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N/A
Code HTS:
N/A
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FGY100T120RWD&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--igbts/fgy100t120rwd-onsemi-1173367
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FGY100T120RWD&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--igbts/fgy100t120rwd-onsemi-1173367
onsemi FGY100T120RWD - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| CE Voltage-Max: | 1200V |
| Collector Current @ 25C: | 200A |
| Power Dissipation-Tot: | 1.495kW |
| Gate - Emitter Voltage: | ±20V |
| Pulsed Collector Current: | 300A |
| Turn-on Delay Time: | 80ns |
| Turn-off Delay Time: | 364ns |
| Qg Gate Charge: | 427nC |
| Reverse Recovery Time-Max: | 256ns |
| Leakage Current: | 400nA |
| Input Capacitance: | 12200pF |
| Thermal Resistance: | 40°C/W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| No of Terminals: | 3 |
| Style d'emballage : | TO-247-3 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
450
États-Unis:
450
Sur commande :
0
Délai d'usine :
15 Semaines
Quantité
Prix unitaire
450
$7.28
900+
$7.23
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
450 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-3
Méthode de montage :
Through Hole