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Référence fabricant
BSC040N10NS5ATMA1
Single N-Channel 100 V 4 mOhm 58 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TDSON-8
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
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Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :5000 par Reel Style d'emballage :TDSON-8 Méthode de montage :Surface Mount |
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| Code de date: | |||||||||||
Infineon BSC040N10NS5ATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
Code HTS:
ECCN:
Informations PCN:
Detailed change informationSubject Extension of shelf lifetime from 3 to 5 years for products in SMD (Surface Mount Devices) and Leadless packagesReason Extension of shelf lifetime and product availabilityDescription Maximum storage timeOld - 3 years New- 5 yearsIntended start of delivery Immediately
Statut du produit:
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BSC040N10NS5ATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/bsc040n10ns5atma1-infineon-4064725
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BSC040N10NS5ATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/bsc040n10ns5atma1-infineon-4064725
Infineon BSC040N10NS5ATMA1 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 4mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.5|W |
| Qg Gate Charge: | 58nC |
| Style d'emballage : | TDSON-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par Reel
Style d'emballage :
TDSON-8
Méthode de montage :
Surface Mount