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onsemi | FDB52N20TM

Référence fabricant

FDB52N20TM

N-Channel 200 V 0.049 Ohm Surface Mount UniFET Mosfet - D2PAK-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2433
Product Specification Section
onsemi FDB52N20TM - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 200V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.049Ω
Rated Power Dissipation: 357|W
Qg Gate Charge: 49nC
Style d'emballage :  TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The FDB52N20TM is a Part of FDB52N20 Series 200 V 0.049 Ω N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using planar stripe, DMOS technology

This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode.

Features :

  • 52 A, 200 VRDS(on) = 0.049 mΩ @ VGS = 10 V
  • Low gate charge ( typical 49 nC)
  • Low Crss ( typical 66 pF)
  • Fast switching
  • 100% avalanche tested
  • Improved dv/dt capability

Applications:

  • High efficient S.M.P.S
  • Active power factor correction
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
6 Semaines
Commande minimale :
800
Multiples de :
800
Total 
1 128,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
800
$1.41
1 600
$1.40
2 400
$1.39
4 000+
$1.37
Product Variant Information section