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Vishay | SIA437DJ-T1-GE3

Référence fabricant

SIA437DJ-T1-GE3

P-Channel 20V 29.7A 3.5W , 19W Surface Mount Mosfet

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Vishay
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2449
Product Specification Section
Vishay SIA437DJ-T1-GE3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: Active
Fet Type: P-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20V
Drain-Source On Resistance-Max: 14.5mΩ
Rated Power Dissipation: 3.5W
Qg Gate Charge: 60nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 8V
Drain Current: 12.6A
Turn-on Delay Time: 10ns
Turn-off Delay Time: 120ns
Rise Time: 10ns
Fall Time: 34ns
Operating Temp Range: -50°C to +150°C
Gate Source Threshold: 0.9V
Input Capacitance: 2340pF
Series: TrenchFET
Style d'emballage :  POWERPAK-SC-70-6L
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
14 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
990,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.33
6 000
$0.325
15 000+
$0.32
Product Variant Information section