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Référence fabricant
MR0A16AYS35
MR0A16 Series 64 K x 16 Bit 3.3 V 35 ns Asynchronous MRAM Memory - TSOP II-44
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| Nom du fabricant: | Everspin Technologies | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :270 par Tray Style d'emballage :TSOP-44 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Everspin Technologies MR0A16AYS35 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=MR0A16AYS35&field4=Everspin Technologies&field18=https://p1na.futureelectronics.com/p/semiconductors--memory--RAM--nvram--mram/mr0a16ays35-everspin-technologies-4287512
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Everspin Technologies MR0A16AYS35 - Caractéristiques techniques
| Memory Density: | 1Mb |
| Memory Organization: | 64k x 16 |
| Supply Voltage-Nom: | 3.3V |
| Access Time-Max: | 35ns |
| Temperature Range: | 0°C to 70°C |
| Style d'emballage : | TSOP-44 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
This device offers SRAM compatible 35 ns read/write timing with unlimited endurance. The data is always non-volatile for greater than 20 years. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification.
Features:
- 3.3 Volt power supply
- Fast 35 ns read/write cycle
- SRAM compatible timing
- Unlimited read & write endurance
- Commercial, Industrial, and Extended Temperatures
- Data non-volatile for >20 years at temperature
- RoHS-compliant TSOP2 package available
Benefits:
- One memory replaces FLASH, SRAM, EEPROM and BBSRAM in system for
- simpler, more efficient designs
- Improves reliability by replacing battery-backed SRAM
- Automatic data protection on power loss
View the available MR0A16A series of MRAMs
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
270 par Tray
Style d'emballage :
TSOP-44
Méthode de montage :
Surface Mount